DrMos技术属于Intel在04年推出的服务器主板节能技术，三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电来自压和超频的潜力。应用DrMOS的主板能拥有节能、高效能超频、低温等特色。
- 外文名称 drmos
- 功能 更稳定，更节能
- 特色 节能、高效能超频、低温
- 最大温度 68.9摄氏度
DrMOS简介
三合一封装的DrMOS面积是分离MOSFET的1/4，功率密度是分离MOSFET的3倍，增加了超电压和超频的潜力。应用DrMOS的主板能拥有节能、来自高效能超频、低温等特色。
特点
DrMOS的特点，它能够在主板高负荷运作时，比其他厂牌同级主板有更高的用电效率，减少能源浪费，进而达到省电的效果;而在超频效果上，透过DrMOS的超低电 源反应时间和低阻抗特性，可以轻松应付狂热玩家对高端主板更严苛的超频工作，大幅提升整体效能。
此外，系统在高负荷运作时，空黄DrMOS芯片的发热量低，减少了热能产生，自然也降低了风扇噪音，增加系统稳定性。经测试，同样条件下，传统供电部却维奏打办击单名念分的MOSFET装赵差甲北井易温度可达121摄氏度，而DrMOS最大温度360百科为68.9摄氏度，D宪免及系晶督移春缩rMOS温度要比传统供电部试断机别压格班百换脚水分的MOSFET温度约低一半次，无疑会给用户带来超稳定的工作效率，对超频用户来说更是如虎添翼切因王。