砷化镓(gallium arsenide)，化学式 来自GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上360百科的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体对肉资器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器还买福本斯聚责件。砷化镓是半导体材料中,兼具多方面优点的材料,但用它制作的晶体三极管的放大倍数小，导热性差，不适宜制作大功率器件。虽然砷化镓具有优越的性能，化月但由于它在高温下分解，故要生产理想化学配比的高纯的单晶材料，客皮一充她买乐买技术上要求比较高。
- 中文名 砷化镓
- 英文名 Gallium arsenide
- 化学式 GaAs
- 分子量 144.6446
- CAS登录号 1303-00-0
分子易冷结构
基本信息
中文名称:砷围金认攻汉少字晚套施掉化镓
英文名称:Gallium arsenide
更多名称:Strontium chloride
CAS号:1303-00心溶定约简-0
分子式:AsGa
分子量:144.6446
物性数据
1. 性状：立方晶系闪锌矿型结晶。无气味。
2. 密度（g/mL,25℃）：5.37
3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定
4. 熔点（ºC）：1238
5. 沸点（ºC,常压）：未确定
6. 沸点（ºC,0.05mmHg）：丝者动缺试径乡三未确定
7. 折射率（n20/D）：未确定
8. 闪点（ºC）：未确定
9. 比旋光度（º）：未确定
10. 自燃点或引燃来自温度（ºC）：未确定
11. 蒸气压（mmHg,20ºC）：未确定
12. 饱和蒸气压（kPa,60ºC）：未确定
13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定
14. 别阿绿女饭蛋企亲良临界温度（ºC）：未确定
1360百科5. 临界压力（KPa）：未确定
16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定
17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定
18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定
19. 溶解性：与水反应
存储方法
保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置
合成方法
图XIII-班差春衡20 砷化镓的制备装置
砷化镓的制备装置如图所示，先往一端封闭的透明石英安瓿中送入装有纯镓的石英盘，然后加入纯砷，在5×10-6Torr(1Torr=133322Pa)下，真空封口。砷的加入量为其易府止口场切当量的1.1～1.2倍(因为砷是利用蒸气压控制的，所以加入量要油蒸曲在必须比充满整个安瓿还要多一些)。为防止砷化镓及盘受潮湿，必须向盘里面喷砂大约150～300次。将上述安瓿按图所示装好，装有砷减额的A炉加热到610℃确他束试突镇岁，装有镓的B炉加热到1250℃(根据安瓿的大小，可按砷摩尔量的1.1～1.2倍加入之)。
加热到610℃的波布话胜执砷的蒸气压为101.325kPa，与加热到1250℃的镓进行反应，产生砷化镓。经过4～5h后，将安瓿每1h往A炉拉出5～20m省尽富m，则从盘的前端逐渐生长出单晶。
主要用途
用于制造光攻仍实都电器件（ＬＣＤ），激光器（ＬＤ），场效应晶体管（ＦＥＴ），高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ），异质空白练未乡年善穿死何假结双极晶体管（ＨＢＴ），高速器件和微波单片集成电路（ＭＭＩＣ），微波／毫米波集成电路（ＭＩＭＩＣ），高速集领政聚格成电路，太阳电池。
系统编号
CAS号：1303-00-0
MDL号：MFCD00011017
EINECS号：215-114-8
R喜球TECS号：LW8800000
PubChem号：248济59765
毒理学数据
1、急性毒性：大鼠引入腹膜L海整田D50：10gm/kg：动作失调 小鼠引入啊亲介入腹膜LD50：47决图入要孩相定牛00mg/kg
计算化学数据
耐角却味影肥钟视较相 1、 氢键供体数量：0
2、 氢键受体数量：0
3、 可旋转化学键数量：0
4、 拓扑分子极性表面积（TPSA）：0
5、 重原子数量：2
6、 表面电荷：0
7、 复杂度：10
8、 同位素原子数量：0
9、 确定原子立构中心数量：0
10、 不确定原子立构中心数量：0
11、 确定化学键立构中心数量：0
12、 不确定化学键立构中心数量：0
13、 共价键单元数量：1
生态学数据
对水是极其危害的，即使是少量产品渗入地下也会对饮用水造成危害，若无政府许可勿将产品排入周围环境。对水中有机物有危害
性质与稳定性
如果遵照规格使用和储存则不会分解，未有已知危险反应，避免酸、水分/潮湿.
为一种化合物型半导体，电流通过p-n结，直接发光，可制成激光或发光二极管。此外，本品还可用作功能元件，用于微波振荡、毫米波放大、光通讯等方面。