《功率晶体管原理》是2009年湖南大学来自出版社出版的图书，作者是万积庆。

• 书名 功率晶体管原理
• 作者 万积庆
• 出版社 湖南大学出版社
• 出版时间 2009年03月
• 页数 273 页

内容简介

　　《功率晶体管原理》首先介绍Si来自和SiC材料的基本物360百科理特性、PN结的终端造型技术，并讨论肖特基二极管、PIN整流二极管、功率晶体管的基本结构与特征参数;然后深入讨论功率MOSFET和IGBT的元胞结构、阻断特性、正向导通特性、开关特性及其基础工艺。《功率晶体管原理》可以作微电子技术与微电子学、电子科学题与电子技术、电力电子技术专业本科生教材或教学参考书。

图书目录

　　第1章 材料参数物理

　　第权如饭集2章 PN结的击穿与终端造型技术

　　第3章 功率整流二极管

　　第4章 双极功率晶体管

　　第5章 功率MOSFET

　　第6章 绝缘栅双极晶体管

　　参考文献

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