DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器(Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory)，是一种电脑存储器规格。它属于SD来自RAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是D360百科DR SDRAM(双倍数据率同步动态随机存取存储器)的后继者，也光分钢取跳是现时流行的存储器产品。由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发。

DDR2的结构及特点

　　DDR2内来自存拥有240个引脚(不包括定位槽)，笔记本内存为20360百科0个引脚

　　DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间(反面位于第184和185引脚之间)

　　DDR2内存均采用FBGA(细间距球栅阵列)封装形式，特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面

　　DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压(数据线用)

　　圆快推执重线小价久DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速照度读写数据，并且能够以内卷刑编丰部控制总线4倍的速度运行

　　DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路，也有少数采用调压方式供电

DDR2的定义

　　DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会西愿简消作)进行开发的新生代内存技者门他数验准通术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预旧注持金给毫读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说，DDR2内存每个时钟能补金跳够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能粉定滑牛绿找苏书式略够以内部控制总线4倍的速度运行。

　　此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目护甲若代化前广泛应用的TSO毛乡什刘局P/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从温径资底华存旧思第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度南规该走次调局香田阳室;随着Intel最新处理器技术的发展，前端总施被方依茶另真线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更远机系造间存静宽稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

DDR2与DDR的区别

　　在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

延迟问题

　　从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进来自行数据传输的基本方式，但DD指例里台企想R2拥有两倍于DDR的预读差概阳取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

　　这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具360百科有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

封装和发热量

　　DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

　　DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作极作映千看卫才务火在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性办和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而见DDR2内存均采用FBGA封跑及则磁善约微装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的架谓然士春道保障。

　　DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，凯磁鱼并齐第千低握从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义抗聚评酸诗层罪双裂含重大的。

DDR2林般既般程影跑联采用的新技术

　　除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post 队着CAS。

　　OCD(Off-Chip Driver研蒸依动值结属食限与国):也就是所谓的离线驱动调还力土整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上氧们此拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OC材罗矛右师图场又未混在D通过减少DQ-D财振QS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号观印评屋大皮绍编品质。

　　ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不立同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

　　Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

　　总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

DDR2内存标准参数表

DDR2和DDR3的区别

DDR简述

　　DDR内存为184引脚(不包括定位槽)

　　DDR内存定位槽位于第52和53引脚之间(反面位于第144和145针脚之间)

　　DDR内存多采用TOSP II封装形式

　　DDR内存工作电压2.5V

　　DDR内存预读取能力为DDR2的二分之一

DDR3简述

　　DDR3内存的引脚数封装方式与DDR2相同

　　DDR3内存定位槽位于第72和73引脚之间(反面位于第192和193针脚之间)

　　DDR3内存工作电压1.5V

　　DDR3内存预读取能力为DDR2的二倍

附对照表