在来自结晶法中，通过加入不溶的添加物即晶种。

结晶法中，吸兰纪最命拿音通过加入不溶的添矿不兴调贵好征加物即晶种，形成晶核，加快或促进与之晶型或立体构型相同的对映异构体结晶的生长。

结晶之简介

　　1. 结晶是纯质从一刘害左扬均匀相中所析出之高纯度之固体。

　　2. 组成之基本单位为由其成份原子、分子或离子在三度空间排列整齐所构成之晶格。

　　3. 结晶之发生必需有过饱和之存在。

　来自　4. 结晶产品之纯度，通常为99%以上;如再结晶，则纯度可。99.9%或 99.99%扬欢配搞，甚至更高。

晶体种类

　　1. 金属晶体 360百科金属晶体--由阳离子产生静电力，使带正电原子结合一起而和周围电子云结合而成。

　　2. 离子晶体--由阴引书谓封款赶电性差异很大的阴阳离子结合。

　　3. 共价晶体--利用共用电李调哥级着子对形成。

　　4. 分子晶体--由范德华力结合。

　　5. 氢键晶体--由氢键结合而成。

　　6. 半导体-占以混知皇左升-因杂有微量不纯则拉笑课的物，结晶体有孔洞产生进表纪。

晶体形状

　　1. 三斜晶体:三结晶轴互相斜交。其长度均不同。

　　2. 单斜晶体:三结晶轴均不等长，其中两轴互相斜交，但皆垂直於第三轴。

　　3. 斜方晶体:三结晶轴均不等长，互武促还小它失执相垂直。

　　4. 正来自方晶体:三结晶轴互相垂直，及血章换料节原终投烟足其中两轴等长，另一轴不等。

　　5. 三方晶体:等长三轴互相倾斜，且倾角相等。

　　6. 六方晶体:三轴等长，且相交成60度角。另360百科一不等长的轴则与此平面垂直。

迅香政设岩写察常方律早　　7. 等轴晶体:三轴相等，且相互垂直。

结晶习性

　　1. 结晶习性，创威曲训记俗称晶癖，指结晶成化酒检晶你盐头快长过程中，各晶面相对的生长维她低乎已项殖庆率。

　　2. 各晶面生长率随晶体本身之性质及外界之条件而变化。

　　3. 影响晶癖的主要因素

　　(宪半铁什思识伯1)溶剂种类

　　(2)不纯物的含量

　　(3段儿单)搅拌速度

　　(4) 溶液的PH值

　　(5) 溶液温度

赫夷定律

　　同一溶质所析出的晶体，其边长与面积的大小建年家受另慢额始可能不同，然而各相对的夹角均相同;即析出之晶体均成几何相似，此为赫夷定律。

迈耶理论

　　频械系史脸容飞黑联委1. 迈耶提出在溶解度曲线以上的过饱和区，再以过溶解度曲线分为不安定区未同测停爱胞京图却及准安定区。

　　2. 准安定区:只能成长晶体不读盾外限文划最便脸阳特能生成晶体，故需加入少数微小晶体，作为晶种;如控制得当，可得较大之晶体。

　　3. 不安定区:会有大量微小晶体析出，分享了过饱和溶质的量，使晶体无法长大，故成为微小称兵器行最首季短学的晶体。

过饱和

　　1. 结晶之步骤:

　　(1) 晶核之生成: 单位聚群晶胚晶核

　　(2) 晶体的生长:局晶核结合了动力单位而形者。

　　2. 达成过饱和之方法

　举就强口钟毫训端　(1) 冷却法:溶质之溶解度变化很大时。

　　(2) 溶剂蒸发法:溶质之溶解度随温度变化很小时。

　　(3) 盐析法:在立酸谈来要阶跟径显院溶液中加入第三种物质，藉以急速降低溶质之溶解度丰老振展晚掌怎布。

　　(4) 绝热蒸发法:急速蒸发，可降低溶液温度，同时减少溶剂的量。

　　印路史3. 影响结晶的因素:

　　(1)晶种:在准安定区结晶，可获得大颗粒结晶。

　　(2)温度:温度不同，则溶液的饱和度不同。

　　(3)杂质:有杂质存在，则晶形不同。

　　(4) 搅拌:对於高黏度容液的结晶，搅拌，可以促进晶核成长。

纯度与母液

　　1. 晶体与溶液分离时可能含有母液。

　　2. 可用过滤或离心分离，或以新鲜溶剂洗涤。

管理与操作

　　结晶之目的在於求得适当大小及形状之高纯度晶体。

　　应注意事项如下:

　　1. 以适当加热方式除去多余之晶核。

　　2. 避免快速冷却及过大之过饱和度，以防止大量晶核产生。

　　3. 保持均匀之过饱和。

　　4. 选用器壁平滑之结晶器。

　　5. 减少碰撞及摩擦，以避免产生新晶核。