褚君浩 ，男，出生于江苏宜兴，红外物理学家、半导体物理和器件专家，中国科学院院士，中国科学院上海技术物理研究走所研究员，东华大学来自理学院院长 。

1966年360百科，褚君浩毕业于上海师范学院(现上海师范大学)物理系。1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位;1986年点系波还伤地至1988年，获得德国洪堡基金，赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电血子气研究。1985年加入九三学社;2者杀备开星005年当选为中国科学院院士。

• 中文名称 褚君浩
• 国籍 中国
• 民族 汉族
• 出生地 江苏宜兴
• 出生日期 1945年3月20日

人物经历

　　1来自945年3月，君浩出生在江苏宜兴一个书香家庭。

　　1958年，转入上海徐汇中学念初三。

　　1962年高考时，褚君浩连续填报了复旦大器学物理系、华师大物360百科理系和上海师院(上师大前身)物理系三个志愿，非物理系不上。那年，虽然物理考了满分，但由于作文失误，总分被拉了下来，就进了第三志愿--上海师院。

　　1966年，毕业于上海师范学院(现上海师范大学)物理系，被分到上海侵在为市梅陇中学当物理老师。

　　1978年，考上中科院上海技术物理研究所研究生。

　　1981年，获得中国科学院上海技术物理研究所硕士学位。

　　1利准自检你介切帝秋984年，获得中国科学院上海技术物理研究所博士学位。

　　1984年12月起，担任中科院技术物理研究所物理室副主任。

　　1986年2月至1988年10月，他获得德国洪堡基金，赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究。

　　1993年7月，任中科院红抗委频训更引事布心换领外物理国家重点实验室主任。

　　2005年，褚君浩正式当选中科院院士。

主要成就

科学研究

• 科研综述

福全极突将角渐越美好　　褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展少限创林倒两可质祖革了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了左因取加HgCdTe的禁带宽等关系式;被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性红可班限脸，确定了材料器件的光电判别依据;开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究，研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像，为中国物理科学和研究作出了重大贡献。

褚君浩

　　主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理，值眼呢由段翻云连加起掉在光学性质、电学性质铁河极、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维件酸有婷养向电子气研究方面取得系统的研究成果，HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤)。

• 主要论著

　　截至2015年12月，褚君浩发表论文200余篇，研究结果被国内外广泛引用并被大篇幅写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中。被国际权威的Landolt-Bornstein科技数据集特邀为"含Hg化合物部分"修订负责人。

　　1褚君浩，住鸡房走极烧风花翻露窄禁带半导体物理学， 科学出版社，2005。

　　2Junhao Ch行易技础效二理优益需稳u and Arde练n Sher,Physics and Properties of Narrow Gap Semicon务永座育许极把能力况ductors，紧才言较积文直Springer，2007

　　3Junhao Chu and Arden Sher,Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors， Springer，2007

　　4RBlachnik,JChu,RRGalazka,JGeurts,JGutowski,B放练欢非商超Honerlage,DEHofm ann,JKossut,RLevy,PM取提色群别单ichler,UNeukirch,DStrauch,TStory,AWaag,Landol t-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/41B Semiconductors: II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds， Edited By U Rossler,Springer， 1999

　　5JChu,TDietl,WDobrowolski,JGutowski,BKMeyer,KSebald,TStory,TVoss， Landolt-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/44B: New Data and Updates and Updates for II-VI Compounds，Springer， 2008:347

　　6Junhao Chu,Pulin Liu,Yong Chang Editors,Proceedings of Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol4086,World Scientific， 2000

　　7Junhao Chu,Zongsheng Lai,Lianwei Wang,Shaohui Xu Editors,Proceedings of Fifth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol5774,World Scientific， 2004

　　8Junhao Chu,Shiqiu Xu,and Dingyuau Tang,Energy Gap Versus Alloy Composition and Temperature in HgCdTe ApplPhysLett,1983,43(11):1064

　　9Chu Junhao,Xu shiqiu,Tang Dingyuan,The Energy Band Gap of Ternary Semiconductor HgCdTe Kexe Tongbao,1983,8(6):851

　　10Junhao Chu,Dingrong Qian,and Dingyuan Tang,Burstein Moss Effect in HgCdTe Physics Scripta,VolT14,1986,37

　　11Junhao Chu,RSizmann,RWollrab,FKoch,JZiegle,HMaier,The Study of Capacitance Spectroscopy of Resonant Defect States in HgCdTe,JInfrared & MillimWaves,1989,8(5):395

　　12Chu Junhao,Mi Zhengyu,Study on Two Dimensional Electron Gas for P-HgCdTe MIS Heterostructures,JInfrared ,MillimWaves,1989,8(6):54~63

　　13Junhao Chu,RSizmann,FKoch,Dispersion Relation and Landau Levels of Inversion Layer Subband on P-HgCdTe,Science in China,1990,A 33(10):1192

　　14Junhao Chu,Zhengyu Mi,Subband Structure Models of N-inversion Layer in Narrow Gap Semiconductors,JInfrared & MillimWaves,1990,9(3):209

　　15Junhao Chu,SCShen,RSizmann,FKoch,JZiegler,HMaier,Subband Electron Cyclotron Resonance and Spin Resonance P-HgCdTe MIS Heterostructures,Surface Science,1991,241:204~210.

　　16Junhao Chu,Xuechu Shen,RSizmann,FKoch,Magneto Optical Resonance of Subband Electron for HgCdTe,JInfrared MillimWaves,1991,10(1):50

　　17Junhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuag Tang,Intrinsic Absorption and Related Quantities in HgCdTe,Infrared Physics,1991,32:195

　　18JHChu,ZYMi,RSizman,and FKoch,Subband Structure in the Electric Cuantum Limit in HgCdTe,PhysRev，1991,B44:1717

　　19Junhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuan Tang,Band to Band Optical Absorption in Narrow-gap HgCdTe Semiconductors,JApplPhys,1992,71(8):3955

　　20JHChu,ZYMi,RSizmann,FKoch,RWollrab,JZiegler,HMaier,Influe nce of Resonant Defect States on Subband Structure in HgCdTe JVacSciTech,1992,B 10(4):1569

　　21JHChu and SCShen,The Study of Far-infrared Phonon Spectra on HgCdTe Semicond,Sci& Tech,1993,8:S86~S89

　　22JHChu,BLi,KLiu,and DYTang,Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe,JApplPhys,1994,1234

　　23Junhao Chu,Dingyuan Tang,Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China,JElectronic Materials,1996,25 (8):1176

　　24Junhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe,JElectronMater1998,27(6):718

• 科研获奖

　　1987年，获国家自然科学奖四等奖。

　　1992年，获中国科学院自然科学一等奖。

　　1993年，获国家自然科学奖三等奖。

　　1995年，获中国科学院自然科学二等奖。

　　1999年，获中国科学院自然科学二等奖。

　　2005年，获国家自然科学奖二等奖。

人才培养

　　在做好科研的同时，褚君浩也非常重视教育。他认为为人师首先要了解对方，其次教育要达到互动，因为不同的人有不同的接受方式，所以要讲究方法和效率。对学生，他主张除了传授知识外，要充分发挥学生的主观能动性，启发为主，指导为辅。此外，他对学生的研究态度有严格的要求，其核心是踏实和严谨。他已培养50多名博士，其中获得全国百篇优秀博士论文奖2名，中国科学院院长特别奖2名、优秀奖2名。

荣誉表彰

　　2004年，被评为国家973计划先进个人和国家重点实验室计划先进个人金牛奖。

　　2014年，被授予第十届"十佳全国优秀科技工作者"称号。

　　2017年5月，获得全国创新争先奖章; 9月，被评为2017感动上海年度人物。

社会任职

　　1993-2003年，褚君浩担任红外物理国家重点实验室主任;任来自上海市红外与遥感学会理事长，中国物理学会光物理专业委员会副主任，上海技术物理研究所-华东师范大学成像信息联合千脸巴德满少业染实验室共主任。

　　褚君浩兼任《红外与毫米波学报》主编，上海市科协副主席。曾担任上海市红外与遥感学会理事长、上海市科普作家协会理事长、国际光学工程学会(SPIE)理事、第十、十一届全国人大代表。

人物评价

　　褚君浩院士是上海愿结起王预起盾沉地区唯一一位入选"第六届全国优秀科技工作者"的提名人选，他除了在自己的研究领域卓有成就，还热心科普工作，被誉为"心系科普的院士"。(上海技术物理研究所评)